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杨登辉博士
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发布人:系统管理员  发布时间:2017-05-04   动态浏览次数:257

    杨登辉,男,四川省绵阳市三台人,19866月出生,工学博士。20149~20176月就读于四川大学材料科学与工程学院,材料物理与化学专业。硕博期间,研究领域为半导体非线性光学晶体材料,主要从事中远红外波段四方晶系黄铜矿类单晶材料的生长与器件研究。

     主要研究成果有:1、根据晶体的性质,设计并组装了多晶材料合成炉和熔体法布里奇曼单晶材料生长炉;2、从事非线性光学晶体材料ZnGeP2多晶合成和单晶生长相关研究,突破P蒸汽压高合成生长过程容易爆炸的难题;通过退火和电子辐照处理,较大程度上提升了晶体的光学性能,获得了大尺寸、高质量的ZnGeP2晶体;3、研究出一种ZnGeP2晶体的定向加工新方法,研制了相应的基于单晶体的频率转换器件。参与了自然科学基金重点项目与863计划项目。以第一作者在J. Alloys Compd.Mater. Sci. Semicond. Process.等期刊上发表SCIEI收录论文4篇,以合作作者发表EI收录论文9篇。参加国内、国际会议各一次,并做了口头报告,获得四川大学优秀博士等奖励。